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/ Turnbull China Bikeride / Turnbull China Bikeride - Disc 2.iso / STUTTGART / PROBLEMS / MEMORY / 4MB_310 / Speicher < prev    next >
Text File  |  1993-11-05  |  2KB  |  44 lines
  1. Umbau des Hauptspeicher auf 4MB.
  2.  
  3. Die Dram's, Type 4464, und das IC 74HCT138, müßen von der Platine entfernt
  4. werden. Die IC's liegen vorn auf der Platine, unter den Laufwerken. Sie sind,
  5. wie auf dem Plan angegeben, angeordnet. Wer keine Entlötstation hat, kneift 
  6. die Beinchen der IC's einfach durch, und lötet den Rest dann mit einem 
  7. normalen Lötkolben aus.
  8.  
  9. Die einzelnen Adressleitungen der 4 SIMM's werden alle miteinander verbunden,
  10. und irgendwo an den entsprechenden Stellen, wo sich vorher die DRAM's 
  11. befanden angelötet. Also alle mit A0 bezeichneten Stellen, an dem Punkt
  12. anlöten, an dem sich vorher Pin 14 eines DRAM befand. So verfährt man mit
  13. allen anderen Leitungen auch. A2 findet man an der Stelle, wo sich vorher 
  14. der Pin 3 des IC 74HCT138 befand. An A2 der DRAM's liegt A8. A9 muß vom 
  15. MEMC,Pin 37, geholt werden.
  16.  
  17. Mit dem Datenbus verfährt man genauso. Der Processor ist über Widerstände 
  18. mit den DRAM's verbunden. Die einzelnen Rambänke sind farbig gekennzeichnet.
  19. Es gibt vier Gruppen, die nochmals in zwei Gruppen unterteilt sind. Jeder 
  20. der vier SIMM's wird mit einer Gruppe verbunden. Die Datenleitungen der 
  21. SIMM'S dürfen also nicht miteinander verbunden werden. Das gleiche gild 
  22. auch für die CAS Leitungen. Die Datenleitungen mißt man sich am besten aus.
  23. Die Lage der Widerstände entnimmt man wieder dem Plan. DB0 liegt ganz rechts
  24. und DB31 ganz links.Die Datenleitungen der SIMM's können auch direkt an den
  25. Wiederständen angelötet werden.
  26.  
  27. Für die CAS Leitung gild CAS0 = roter Bereich, CAS1 = grüner Bereich
  28. CAS2 = dunkelblauer Bereich und CAS3 = hellblauer Bereich.
  29.  
  30. Die RAS Leitung der SIMM'S alle miteinander verbinden und an irgendeiner 
  31. Stelle, wo sich vorher der RAS Pin der DRAM's befand, anlöten.
  32.  
  33. W Leitung, wie die RAS Leitung, nur wird die Leitung jetzt an Pin 9 vom 
  34. IC 74HCT75 angelötet.
  35.  
  36. Pin 4 des IC 74HCT75 muß noch auf +5V gelegt werden, und die Leiterbahn,
  37. die zu diesem Pin führt, muß auf der linken Seite, des IC's unterbrochen
  38. werden.
  39.  
  40.  
  41. Diese Angaben sind wie immer ohne Gewähr!!!
  42.  
  43.  
  44.